加载.....

P沟道 MOSFET 深沟槽 NCEP40P80K SGT

¥ 0.90
缺货
产品编码
03-408-01124-1

P沟道增强型场效应管 深沟槽 SGT NCEP40P80K Vds=-40V Ids=-80A RDS(ON):7.6mΩ @VGS=-4.5V ,TO-252

NCEP40P80K采用独特超级沟槽工艺技术提高高频下开关特性,降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。NCEP40P80K的FOM (品质因数(Rdson*Qg))大大降低,其软体二极管性能可以有效降低同步整流中的电压尖峰,实现在AC/DC电源的同步整流中快速开关。同时全面提升了产品的导通电阻温度特性,有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度,提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度,同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量。

产品应用:

  • 负载驱动电路
  • PWM电路
品名P沟道 MOSFET 深沟槽 NCEP40P80K SGT
型号NCEP40P80K
丝印标识NCEP40P80K
封装TO-252-2L
晶体管极性P管
器件结构沟槽工艺
晶体管配置单通道
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds-40V
连续漏极电流 Id-80A
漏源导通电阻 Rdson5.6mOhms @ -20A -10V
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅源极阈值电压 Vgs(th)-1.2V @ -250μA
耗散功率(W)150W
栅极电荷 Qg @ Vgs57.2nC @ -10V
输入结电容值 Ciss @ Vds3738pF @ -20V
体二极管正向电压 Vsd @ Is-1.2V @ -20A
恢复时间 - trr24nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C68nC
最小包装数量2500
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
编写您自己的评论
您正在评论:P沟道 MOSFET 深沟槽 NCEP40P80K SGT