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P沟道 Trench MOSFET GLP4015AS

¥ 1.15
缺货
产品编码
460-00366-1

P沟道增强型沟槽MOSFET GLP4015AS Vds=-40V Ids=-13A RDS(ON)

GLP4015AS采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷下拥有优良的RDS(ON)。它可以用于各种应用程序。包装形式为SOP-8,符合RoHS标准。

产品应用:

● 不间断电源UPS
● 高频开关电路
● 开关电源电路

品名P沟道 Trench MOSFET GLP4015AS
型号GLP4015AS
丝印标识P4015AS
品牌光磊
封装SOP-8
材料技术硅基
晶体管极性P管
器件结构沟槽工艺
晶体管配置单通道
通道模式增强型
配置单芯片
漏源极击穿电压 Vds-40V
连续漏极电流 Id-13A
漏源导通电阻 Rdson11mOhms @ -14A -10V
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅源极阈值电压 Vgs(th)-1V ~ -3V @ -250μA
耗散功率(W)3.0W
栅极电荷 Qg @ Vgs65nC @ -10V
正向跨导25S
输入结电容值 Ciss @ Vds2900pF @ -20V
典型接通延迟时间 - Td(on)10nS
上升时间 - Tr17nS
典型关断延迟时间 - Td(off)36nS
下降时间 - Tf38nS
体二极管正向电压 Vsd @ Is-1.5V @ -13A
恢复时间 - trr35nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C30nC
最小包装数量4000
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
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