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N沟道 MOSFET NCE1826K

¥ 4.48
缺货
产品编码
03-408-01152-1

N沟道增强型场效应管 NCE1826K Vds=180V Ids=26A RDS(ON):80mΩ @ VGS=10V,TO-252

NCE1826K是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。

产品应用:

  • 开关电源
  • 高频硬开关电路
  • UPS电路
品名N沟道 MOSFET NCE1826K
型号NCE1826K
丝印标识NCE1826K
封装TO-252
晶体管极性N管
器件结构沟槽工艺
晶体管配置单通道
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds200V
栅极-源极电压 Vgs±20V
体二极管正向电压 Vsd @ Is1.2V @ 11A
恢复时间 - trr90nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C300nC
最小包装数量2500
包装方法编带塑料盘
生产状态现货
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