加载.....

N沟道 深沟槽 MOSFET NCEP0140AK

¥ 3.99
有货
产品编码
03-408-01122-1

N沟道增强型场效应管 深沟槽 NCEP0140AK Vds=100V Ids=45A RDS(ON):22mΩ at VGS=4.5V , TO-252

通常一起购买
合计

NCEP0140AK采用独特超级沟槽工艺技术提高高频下开关特性,降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。NCEP0140AK的FOM (品质因数(Rdson*Qg))大大降低,其软体二极管性能可以有效降低同步整流中的电压尖峰,实现在AC/DC电源的同步整流中快速开关。同时全面提升了产品的导通电阻温度特性,有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度,提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度,同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量。

产品应用:

  • 开关电源
  • 高频硬开关电路
  • UPS电路
品名N沟道 深沟槽 MOSFET NCEP0140AK
型号NCEP0140AK
丝印标识NCEP0140AK
封装TO-252-2L
晶体管极性N管
器件结构沟槽工艺
晶体管配置单通道
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds100V
连续漏极电流 Id45A
漏源导通电阻 Rdson18mOhms @ 20A 10V
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅源极阈值电压 Vgs(th)2.0V @ 250μA
耗散功率(W)110W
栅极电荷 Qg @ Vgs26nC @ 10V
输入结电容值 Ciss @ Vds1600pF @ 50V
体二极管正向电压 Vsd @ Is1.2V @ 45A
恢复时间 - trr26nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C98nC
最小包装数量2500
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
编写您自己的评论
您正在评论:N沟道 深沟槽 MOSFET NCEP0140AK