Mosfet NCE5530

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产品编码
03-408-00245-1

P沟道增强型场效应管 NCE5530 Vds=-55V Ids=-30A RDS(ON):40mΩ @ VGS=-10V,TO-220

NCE5530是一款采用先进结工艺技术生产的增强型P沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。该MOSFET有着广泛的应用。

产品应用:

  • 开关电源、照明电源
  • 硬开关高频电路
  • UPS电源
品名Mosfet NCE5530
型号NCE5530
丝印标识NCE5530
封装TO-220
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性P管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds-55V
连续漏极电流 Id @ 25°C-30A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs30mOhms @ -15A -10V
耗散功率(W)90W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id-3V @ -250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs56nC @ -10V
输入结电容值 Ciss @ Vds3500pF @ -30V
P沟道接通延迟时间(nS) 12.00
P沟道接通上升时间(nS) 15.00
P沟道关断延迟时间(nS) 38.00
P沟道关断下降时间(nS) 15.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is-1.2V @ -24A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C71nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C170nC
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量50
包装方法管装
生产状态接单生产
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