P管 Mosfet NCE4007S

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产品编码
03-408-00241-1

P沟道增强型场效应管 NCE4007S Vds=-40V Ids=-6.2A ,RDS(ON):25mΩ @ VGS=-10V,SOP8

NCE4007S是一款采用先进结工艺技术生产的增强型P沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。

产品应用:

  • 开关电路
  • 高频硬开关电源
  • DC-DC电路
品名P管 Mosfet NCE4007S
型号NCE4007S
丝印标识4007
封装SOP-8
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性P管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds-40V
连续漏极电流 Id @ 25°C-6.2A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs25mOhms @ -5A -10V
耗散功率(W)2.5W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id-1.7V @ -250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs43nC @ -10V
输入结电容值 Ciss @ Vds3000pF @ -20V
P沟道接通延迟时间(nS) 9.50
P沟道接通上升时间(nS) 20.00
P沟道关断延迟时间(nS) 55.00
P沟道关断下降时间(nS) 30.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is-1.2V @ -6A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C38nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C47nC
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量2500
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
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