P管 MOSFET AO3407AL

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产品编码
03-423-00013-1

P沟道增强型场效应管AO3407AL Vds=-30V Ids=-4.3A RDS(ON):78mΩ @ VGS=-4.5V,SOT-23

AO3407AL是一款采用先进结工艺技术生产的增强型P沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,可作为负载开关或PWM应用。

品名P管 MOSFET AO3407AL
型号AO3407AL
丝印标识X7
封装SOT-23-3L
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性P管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds-30V
连续漏极电流 Id @ 25°C-4.3A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs34mOhms @ -4.3A -10V
耗散功率(W)1.4W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id-1.9V @ -250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs9.2nC @ -10V
输入结电容值 Ciss @ Vds520pF @ -15V
P沟道接通延迟时间(nS) 7.50
P沟道接通上升时间(nS) 5.50
P沟道关断延迟时间(nS) 19.00
P沟道关断下降时间(nS) 7.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is-0.7V @ -1A
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量3000
生产状态量产中
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