P沟道MOSFET NCE60P04R

¥ 0.90
有货
产品编码
03-408-01047-1

P沟道增强型场效应管 NCE60P04R Vds=-60V Ids=-4A RDS(ON):120mΩ @ VGS=-10V,SOT-223-3L

NCE60P04R是一款采用先进结工艺技术生产的增强型P沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,稳定性好,EAS一致性高。

产品应用:

  • 负载驱动电路
  • PWM电路
品名P沟道MOSFET NCE60P04R
型号NCE60P04R
丝印标识NCE60P04R
封装SOT-223-3
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性P管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds-60V
连续漏极电流 Id @ 25°C-4A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs106mOhms @ -4A -10V
耗散功率(W)3.1W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id-2.2V @ -250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs25nC @ -10V
输入结电容值 Ciss @ Vds930pF @ -30V
P沟道接通延迟时间(nS) 8.00
P沟道接通上升时间(nS) 4.00
P沟道关断延迟时间(nS) 32.00
P沟道关断下降时间(nS) 7.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is-1.2V @ -4A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C25nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C31nC
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量2500
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
编写您自己的评论
您正在评论:P沟道MOSFET NCE60P04R