P沟道MOSFET NCE3415Y

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产品编码
03-408-01028-1

P沟道增强型场效应管NCE3415Y Vds=-20V Ids=-4A RDS(ON):45mΩ @ VGS=-4.5V,SOT-23-3L

NCE3415Y是一款采用先进结工艺技术生产的增强型P沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。

产品应用:

  • PWM电路
  • 负载驱动
品名P沟道MOSFET NCE3415Y
型号NCE3415Y
丝印标识3415Y
封装SOT-23-3L
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性P管
通道模式增强型
连续漏极电流 Id @ 25°C-4A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs34mOhms @ -4A -4.5V
耗散功率(W)1.4W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id-0.55V @ -250μA
栅极-源极电压 Vgs±10V
栅极电荷 Qg @ Vgs12nC @ -4.5V
输入结电容值 Ciss @ Vds950pF @ -10V
P沟道接通延迟时间(nS) 12.00
P沟道接通上升时间(nS) 10.00
P沟道关断延迟时间(nS) 19.00
P沟道关断下降时间(nS) 25.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is-1.2V @ -4A
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
静电放电防护等级(ESD)HBM 2500V
最小包装数量3000
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
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