P沟道MOSFET NCE30P28Q

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产品编码
03-408-00953-1

P沟道增强型场效应管 NCE30P28Q Vds=-30V Ids=-28A RDS(ON):17mΩ @ VGS=-4.5V DFN3.3X3.3_8L

NCE30P28Q是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,长寿命。

产品应用:

  • 负载开关电路
  • 电源管理电路
品名P沟道MOSFET NCE30P28Q
型号NCE30P28Q
丝印标识NCE30P28Q
封装DFN3.3×3.3_8L
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性P管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds-30V
连续漏极电流 Id @ 25°C-28A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs9.9mOhms @ -20A -10V
耗散功率(W)30W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id-1.3V @ -250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs30nC @ -10V
输入结电容值 Ciss @ Vds2060pF @ -15V
P沟道接通延迟时间(nS) 11.00
P沟道接通上升时间(nS) 9.40
P沟道关断延迟时间(nS) 24.00
P沟道关断下降时间(nS) 12.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is-1.2V @ -30A
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量3000
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
工程技术MOSFET作用:1.场效应管应用于放大电路; 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换; 3.用作可变电阻; 4.用作恒流源;5.用作电子开关。, MOSFET特点: 1.场效应管是电压控制器件,通过VGS来控制ID;2.场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电,温度稳定性较好; 4.场效应管的抗辐射能力强; 5.场效应管的噪声系数很小。
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