P沟道MOSFET NCE2321A

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产品编码
03-408-00748-1

P沟道增强型场效应管NCE2321A Vds=-20V Ids=-4.5A RDS(ON):40mΩ @ VGS=-4.5V,SOT-23

NCE2321A是一款采用先进结工艺技术生产的增强型P沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。

产品应用:

  • PA电路
  • 负载驱动
  • 电源管理
品名P沟道MOSFET NCE2321A
型号NCE2321A
丝印标识2321A
封装SOT-23-3
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性P管
通道模式增强型
连续漏极电流 Id @ 25°C-4.5A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs31mOhms @ -4A -4.5V
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id-0.6V @ -250μA
栅极-源极电压 Vgs±12V
栅极电荷 Qg @ Vgs14.5nC @ -4.5V
输入结电容值 Ciss @ Vds1159pF @ -15V
P沟道接通延迟时间(nS) 23.00
P沟道接通上升时间(nS) 25.00
P沟道关断延迟时间(nS) 55.00
P沟道关断下降时间(nS) 13.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is-1.2V @ -5.3A
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量3000
包装方法编带塑料盘
生产状态现货
工程技术MOSFET作用:1.场效应管应用于放大电路; 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换; 3.用作可变电阻; 4.用作恒流源;5.用作电子开关。, MOSFET特点: 1.场效应管是电压控制器件,通过VGS来控制ID;2.场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电,温度稳定性较好; 4.场效应管的抗辐射能力强; 5.场效应管的噪声系数很小。
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