P沟道MOSFET NCE12P09S

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产品编码
03-408-01031-1

P沟道增强型场效应管 NCE12P09S Vds=-12V Ids=-9A RDS(ON):18mΩ @ VGS=-4.5V,SOP-8

NCE12P09S是一款采用先进结工艺技术生产的增强型P沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,稳定性好,具有高EAS均匀性。

产品应用:

  • PWM应用
  • 负载开关电路
  • 电池充电管理电路
品名P沟道MOSFET NCE12P09S
型号NCE12P09S
丝印标识NCE12P09S
封装SOP-8
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性P管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds-12V
连续漏极电流 Id @ 25°C-9A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs11.5mOhms @ -9A -4.5V
耗散功率(W)2.5W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id-0.7V @ -250μA
栅极-源极电压 Vgs±12V
栅极电荷 Qg @ Vgs35nC @ -4.5V
输入结电容值 Ciss @ Vds2700pF @ -10V
P沟道接通延迟时间(nS) 11.00
P沟道接通上升时间(nS) 35.00
P沟道关断延迟时间(nS) 30.00
P沟道关断下降时间(nS) 10.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is-1.2V @ -9A
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量2500
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
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