P沟道MOSFET NCE1216

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产品编码
03-408-00285-1

P沟道增强型场效应管NCE1216 Vds=-12V Ids=-16A RDS(ON):18mΩ @ VGS=-4.5V,DFN2X2-6L

NCE1216是一款采用先进结工艺技术生产的增强型P沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。

产品应用:

  • PWM电路
  • 负载驱动
  • 手机电池充电管理
品名P沟道MOSFET NCE1216
型号NCE1216
丝印标识NCE1216
封装DFN2×2_6L
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性P管
通道模式增强型
P沟道接通延迟时间(nS) 11.00
P沟道接通上升时间(nS) 35.00
P沟道关断延迟时间(nS) 30.00
P沟道关断下降时间(nS) 10.00
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量3000
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
工程技术MOSFET作用:1.场效应管应用于放大电路; 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换; 3.用作可变电阻; 4.用作恒流源;5.用作电子开关。, MOSFET特点: 1.场效应管是电压控制器件,通过VGS来控制ID;2.场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电,温度稳定性较好; 4.场效应管的抗辐射能力强; 5.场效应管的噪声系数很小。
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