P沟道MOSFET NCE01P30K

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产品编码
03-408-00689-1

P沟道增强型场效应管NCE01P30K Vds=-100V Ids=-30A RDS(ON):58mΩ @ VGS=-10V,TO-252

NCE01P30K是一款采用先进结工艺技术生产的增强型P沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。

产品应用:

  • 便携式产品的电池电路
品名P沟道MOSFET NCE01P30K
型号NCE01P30K
丝印标识NCE01P30K
封装TO-252
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性P管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds-100V
连续漏极电流 Id @ 25°C-30A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs50mOhms @ -15A -10V
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id-2.8V @ -250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs90nC @ -10V
输入结电容值 Ciss @ Vds2700pF @ -25V
P沟道接通延迟时间(nS) 17.00
P沟道接通上升时间(nS) 80.00
P沟道关断延迟时间(nS) 45.00
P沟道关断下降时间(nS) 65.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is-1.2V @ -10A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C90nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C70nC
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
静电放电防护等级(ESD)HBM 2000V
最小包装数量2500
包装方法编带塑料盘
生产状态现货
工程技术MOSFET作用:1.场效应管应用于放大电路; 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换; 3.用作可变电阻; 4.用作恒流源;5.用作电子开关。, MOSFET特点: 1.场效应管是电压控制器件,通过VGS来控制ID;2.场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电,温度稳定性较好; 4.场效应管的抗辐射能力强; 5.场效应管的噪声系数很小。
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