P沟道MOSFET NCE01P03S

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产品编码
03-408-01032-1

P沟道增强型场效应管 NCE01P03S Vds=-100V Ids=-3A RDS(ON):200mΩ @ VGS=-10V,SOP-8

NCE01P03S是一款采用先进结工艺技术生产的增强型P沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,ESD保护,稳定性好,具有高EAS均匀性。

产品应用:

  • PWM应用
  • 负载开关电路
  • 电池充电管理电路
品名P沟道MOSFET NCE01P03S
型号NCE01P03S
丝印标识NCE01P03S
封装SOP-8
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性P管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds-100V
连续漏极电流 Id @ 25°C-3A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs170mOhms @ -3A -10V
耗散功率(W)2.5W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id-1.9V @ -250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs25nC @ -10V
输入结电容值 Ciss @ Vds760pF @ -25V
P沟道正向跨导 (S)2S
P沟道接通延迟时间(nS) 14.00
P沟道接通上升时间(nS) 18.00
P沟道关断延迟时间(nS) 50.00
P沟道关断下降时间(nS) 18.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is-1.2V @ -3A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C35nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C46nC
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
静电放电防护等级(ESD)HBM 2300V
最小包装数量4000
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
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