P沟道JFET 2SJ74-BL

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产品编码
03-008-00167-3

P沟道结型低噪声音频放大场效应管 2SJ74-BL

P沟道结型低噪声音频放大场效应管

Recommended for first stages of EQ amplifiers and M.C. head amplifiers.
High |Yfs|: |Yfs| = 22 mS (typ.)
     (VDS = −10 V, VGS = 0, IDSS = −3 mA)
Low noise: En = 0.95 nV/Hz1/2 (typ.)
     (VDS = −10 V, ID = −1 mA, f = 1 kHz)
High input impedance: IGSS = 1.0 nA (max) (VGS = 25 V)
Complimentary to 2SK170

品名P沟道JFET 2SJ74-BL
型号2SJ74-BL
丝印标识J74 BL
封装TO-92
晶体管类型单通道
晶体管极性P管
最高环境工作温度125℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量200
包装方法薄膜袋
生产状态现货
工程技术MOSFET作用:1.场效应管应用于放大电路; 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换; 3.用作可变电阻; 4.用作恒流源;5.用作电子开关。, MOSFET特点: 1.场效应管是电压控制器件,通过VGS来控制ID;2.场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电,温度稳定性较好; 4.场效应管的抗辐射能力强; 5.场效应管的噪声系数很小。
外观尺寸18.4X4.4X3.3mm
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