P沟道 Mosfet NCE4040K

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产品编码
03-408-00266-1

P沟道增强型场效应管 NCE4040K Vds=-40V Ids=-40A RDS(ON):14mΩ @ VGS=-10V,TO-220

NCE4040K是一款采用先进结工艺技术生产的增强型P沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。

产品应用:

  • 便携式产品的电池电路
品名P沟道 Mosfet NCE4040K
型号NCE4040K
丝印标识NCE4040K
封装TO-252
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性P管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds-40V
源极电流 Is-40A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs10.0mOhms @ -14A -10V
耗散功率(W)80W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id-1.9V @ -250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs31.4nC @ -10V
输入结电容值 Ciss @ Vds1850pF @ -20V
P沟道正向跨导 (S)34S
P沟道接通延迟时间(nS) 10.00
P沟道接通上升时间(nS) 18.00
P沟道关断延迟时间(nS) 38.00
P沟道关断下降时间(nS) 24.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is-1.2V @ -20A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C30nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C32nC
最高环境工作温度175℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量2500
包装方法编带塑料盘
生产状态升级并转新料号
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