P沟道 MOSFET NCE30P20Q

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产品编码
03-408-01040-1

P沟道增强型场效应管 NCE30P20Q Vds=-30V Ids=-20A , RDS(ON):15mΩ @ VGS=-10V , DFN3.3X3.3

NCE30P20Q是一款采用先进结工艺技术生产的增强型P沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,稳定性佳。

产品应用:

  • 负载开关电路
  • 电池保护电路
品名P沟道 MOSFET NCE30P20Q
型号NCE30P20Q
丝印标识NCE30P20Q
封装DFN3.3×3.3
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性P管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds-30V
连续漏极电流 Id @ 25°C-20A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs11.5mOhms @ -15A -10V
耗散功率(W)35W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id-1.5V @ -250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs45.6nC @ -10V
输入结电容值 Ciss @ Vds2130pF @ -25V
P沟道接通延迟时间(nS) 12.00
P沟道接通上升时间(nS) 10.00
P沟道关断延迟时间(nS) 25.00
P沟道关断下降时间(nS) 13.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is-1.2V @ -20A
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C135nC
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量5000
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
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