P沟道 MOSFET NCE2301AD

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产品编码
03-408-01034-1

P沟道增强型场效应管 NCE2301AD Vds=-20V Ids=-2A RDS(ON):73mΩ @ VGS=-4.5V,SOT23

NCE2301A是一款采用先进结工艺技术生产的增强型P沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。

产品应用:

  • PWM电路
  • 负载驱动
  • 电源管理
品名P沟道 MOSFET NCE2301AD
型号NCE2301AD
丝印标识2301A
封装SOT-23-3
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性P管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds-12V
连续漏极电流 Id @ 25°C-2A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs73mOhms @ -2A -4.5V
耗散功率(W)0.7W
栅极-源极电压 Vgs±12V
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量3000
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
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