P沟道 Mosfet NCE0118

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产品编码
03-408-00269-1

P沟道增强型场效应管 NCE0118 Vds=-100V Ids=-18A ,RDS(ON):100mΩ @ VGS=-10V,TO-220

NCE0118是一款采用先进结工艺技术生产的增强型P沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。

产品应用:

  • 电脑电源电路
  • 便携式电源
  • 电池电源管理电路
品名P沟道 Mosfet NCE0118
型号NCE0118
丝印标识NCE0118
封装TO-220
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性P管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds-100V
连续漏极电流 Id @ 25°C-18A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs85mOhms @ -16A -10V
耗散功率(W)90W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id-1.9V @ -250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs61nC @ -10V
输入结电容值 Ciss @ Vds2100pF @ -25V
P沟道正向跨导 (S)5S
P沟道接通延迟时间(nS) 16.00
P沟道接通上升时间(nS) 73.00
P沟道关断延迟时间(nS) 34.00
P沟道关断下降时间(nS) 57.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is-1.2V @ -10A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C88.3nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C65.9nC
最高环境工作温度175℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量50
包装方法管装
生产状态量产中
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