N-P沟道MOSFET NCE603S

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产品编码
03-408-00581-1

N+P沟道增强型场效应管NCE603S Vds=+60V Ids=+6A RDS(ON):60mΩ @ VGS=10V, Vds=-60V Ids=-6A RDS(ON):80mΩ @ VGS=-10V,SOP-8

NCE603S是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N+P沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。该MOSFET有着广泛的应用。

产品应用:

  • H桥
  • 逆变器
品名N-P沟道MOSFET NCE603S
型号NCE603S
丝印标识NCE603S
封装SOP-8
器件结构沟槽工艺
晶体管类型双通道
晶体管极性N&P管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds60V -60V
源极电流 Is6A -6A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs37mOhms @ 6A 10V & 64mOhms @ -6A -10V
耗散功率(W)2.0W 2.0W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id2.0V @ 250μA & -2.6V @ -250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V ±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs10nC @ 10V & 15.8nC @ -10V
输入结电容值 Ciss @ Vds450pF @ 15V & 960pF @ -30V
正向跨导11S
N沟道接通延迟时间(nS) 4.20
P沟道接通延迟时间(nS) 9.00
N沟道接通上升时间(nS) 3.40
P沟道接通上升时间(nS) 10.00
N沟道关断延迟时间(nS) 16.00
P沟道关断延迟时间(nS) 25.00
N沟道关断下降时间(nS) 2.00
P沟道关断下降时间(nS) 11.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is1.2V @ 6A & -1.2V @ -6A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C27nS 27.5nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C30nC 30nC
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量2500
包装方法编带塑料盘
生产状态现货
工程技术MOSFET作用:1.场效应管应用于放大电路; 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换; 3.用作可变电阻; 4.用作恒流源;5.用作电子开关。, MOSFET特点: 1.场效应管是电压控制器件,通过VGS来控制ID;2.场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电,温度稳定性较好; 4.场效应管的抗辐射能力强; 5.场效应管的噪声系数很小。
外观尺寸5.8mm x 4.7mm x 1.35mm
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