N-P沟道MOSFET NCE30D2519K

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产品编码
03-408-00623-1

N+P沟道增强型场效应管NCE30D2519K Vds=+30V Ids=+25A RDS(ON):12mΩ @ VGS=10V, Vds=-30V Ids=-19A RDS(ON):35mΩ @ VGS=-10V,TO-252-4L

NCE30D2519K是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N+P沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。该MOSFET有着广泛的应用。

产品应用:

  • H桥
  • 逆变器
品名N-P沟道MOSFET NCE30D2519K
型号NCE30D2519K
丝印标识30D2519K
封装TO-252-4L
器件结构沟槽工艺
晶体管类型双通道
晶体管极性N&P管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds30V -30V
源极电流 Is25A -19A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs8.5mOhms @ 7A 10V & 28mOhms @ -6A -10V
耗散功率(W)21W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id2.0V @ 250μA & -1.8V @ -250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V ±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs9.5nC @ 10V & 16.2nC @ -10V
输入结电容值 Ciss @ Vds450pF @ 15V & 920pF @ -30V
正向跨导29S
N沟道接通延迟时间(nS) 5.00
P沟道接通延迟时间(nS) 8.00
N沟道接通上升时间(nS) 12.00
P沟道接通上升时间(nS) 30.00
N沟道关断延迟时间(nS) 19.00
P沟道关断延迟时间(nS) 22.00
N沟道关断下降时间(nS) 6.00
P沟道关断下降时间(nS) 26.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is1.2V @ 25A & -1.2V @ -6A
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量2500
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
工程技术MOSFET作用:1.场效应管应用于放大电路; 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换; 3.用作可变电阻; 4.用作恒流源;5.用作电子开关。, MOSFET特点: 1.场效应管是电压控制器件,通过VGS来控制ID;2.场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电,温度稳定性较好; 4.场效应管的抗辐射能力强; 5.场效应管的噪声系数很小。
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