N-P沟道MOSFET NCE2003

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产品编码
03-408-00622-1

N+P沟道增强型场效应管NCE2003 Vds=+20V Ids=+3A RDS(ON):65mΩ @ VGS=4.5V, Vds=-20V Ids=-3A RDS(ON):110mΩ @ VGS=-4.5V,SOT-23-6L

NCE2003是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N+P沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。该MOSFET有着广泛的应用。

品名N-P沟道MOSFET NCE2003
型号NCE2003
丝印标识NCE2003
封装SOT-23-6L
器件结构沟槽工艺
晶体管类型双通道
晶体管极性N&P管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds20V -20V
源极电流 Is3A -3A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs29mOhms @ 3A 4.5V & 78mOhms @ -2.5A -4.5V
耗散功率(W)0.8W 0.8W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id0.75V @ 250μA & -0.7V @ -250μA
栅极-源极电压 Vgs±12V ±12V
栅极电荷 Qg @ Vgs2.9nC @ 4.5V & 3.2nC @ -4.5V
输入结电容值 Ciss @ Vds260pF @ 10V & 325pF @ -10V
正向跨导8S
P沟道正向跨导 (S)9.5S
N沟道接通延迟时间(nS) 2.50
P沟道接通延迟时间(nS) 11.00
N沟道接通上升时间(nS) 3.20
P沟道接通上升时间(nS) 5.50
N沟道关断延迟时间(nS) 21.00
P沟道关断延迟时间(nS) 22.00
N沟道关断下降时间(nS) 3.00
P沟道关断下降时间(nS) 8.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is1.2V @ 3A & -1.2V @ -3A
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量3000
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
工程技术MOSFET作用:1.场效应管应用于放大电路; 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换; 3.用作可变电阻; 4.用作恒流源;5.用作电子开关。, MOSFET特点: 1.场效应管是电压控制器件,通过VGS来控制ID;2.场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电,温度稳定性较好; 4.场效应管的抗辐射能力强; 5.场效应管的噪声系数很小。
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