N Mosfet BSS138K

¥ 0.38
有货
产品编码
03-408-00004-1

飞兆 N沟道增强型场效应管BSS138K Vds=50V Ids=0.22A RDS(ON):2Ω @ VGS=10V,SOT-23

BSS138K是飞兆的一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。

产品应用:

  • TTL/CMOS
  • 电磁阀、灯、显示、记忆、晶体管等驱动电路
  • 固态继电器驱动电路
品名N Mosfet BSS138K
型号BSS138K
丝印标识SK
封装SOT-23-3
器件结构平面工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds50V
连续漏极电流 Id @ 25°C0.22A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs1.6Ohms @ 5mA 5V
耗散功率(W)0.35W
栅极-源极电压 Vgs±12V
栅极电荷 Qg @ Vgs2.4nC @ 10V
输入结电容值 Ciss @ Vds58pF @ 25V
N沟道接通延迟时间(nS) 5.00
N沟道接通上升时间(nS) 5.00
N沟道关断延迟时间(nS) 60.00
N沟道关断下降时间(nS) 35.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is1.2V @ 0.115A
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
静电放电防护等级(ESD)HBM 2000V
最小包装数量3000
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
编写您自己的评论
您正在评论:N Mosfet BSS138K