N沟道MOSFET TS85N08

¥ 2.97
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产品编码
03-436-00004-1

N沟道增强型场效应管TS85N08 Vds=85V Ids=80A RDS(ON):6.80mΩ @ VGS=10V,TO-220

TS85N08是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。该MOSFET有着广泛的应用。

产品应用:

  • 电动车控制器
  • 逆变器、UPS电源、工控电源、太阳能电源、机箱电源、电力电源
  • 开关电源、照明电源
  • 定制电源
  • 充电器、电焊机、机电设备
品名N沟道MOSFET TS85N08
型号TS85N08
丝印标识TS85N08
封装TO-220
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds85V
连续漏极电流 Id @ 25°C80A
N沟道接通延迟时间(nS) 36.00
N沟道接通上升时间(nS) 54.30
N沟道关断延迟时间(nS) 82.50
N沟道关断下降时间(nS) 37.30
最高环境工作温度175℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量50
包装方法管装
工程技术MOSFET作用:1.场效应管应用于放大电路; 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换; 3.用作可变电阻; 4.用作恒流源;5.用作电子开关。, MOSFET特点: 1.场效应管是电压控制器件,通过VGS来控制ID;2.场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电,温度稳定性较好; 4.场效应管的抗辐射能力强; 5.场效应管的噪声系数很小。
外观尺寸28.78X9.88X4.55mm
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