N沟道MOSFET NCE7190AD

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产品编码
03-408-00966-1

N沟道增强型场效应管 NCE7190AD Vds=71V Ids=90A RDS(ON):5.5mΩ @ VGS=10V,TO-263

NCE7190AD是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。该MOSFET有着广泛的应用。

产品应用:

  • UPS电源
  • 开关电源
  • LED照明电源
品名N沟道MOSFET NCE7190AD
型号NCE7190AD
丝印标识NCE7190AD
封装TO-263
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds71V
连续漏极电流 Id @ 25°C90A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs4.8mOhms @ 20A 10V
耗散功率(W)170W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id2.85V @ 250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs100nC @ 10V
输入结电容值 Ciss @ Vds4900pF @ 25V
正向跨导50S
N沟道接通延迟时间(nS) 17.00
N沟道接通上升时间(nS) 11.00
N沟道关断延迟时间(nS) 55.00
N沟道关断下降时间(nS) 15.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is1.2V @ 20A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C37nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C58nC
最高环境工作温度175℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量800
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
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