N沟道MOSFET NCE6005R

¥ 1.37
有货
产品编码
03-408-00249-1

N沟道增强型场效应管 NCE6005R Vds=60V Ids=5A RDS(ON):45mΩ @ VGS=10V,SOT-223-3L

NCE6005R是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。该MOSFET有着广泛的应用。

产品应用:

  • 开关电源、照明电源
  • 硬开关高频电路
  • UPS电源
品名N沟道MOSFET NCE6005R
型号NCE6005R
丝印标识NCE6005R
封装SOT-223-3
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds60V
连续漏极电流 Id @ 25°C5A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs38mOhms @ 4.5A 10V
耗散功率(W)2.0W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id2.0V @ 250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs8.5nC @ 10V
输入结电容值 Ciss @ Vds450pF @ 25V
正向跨导11S
N沟道接通上升时间(nS) 2.30
N沟道关断延迟时间(nS) 15.70
N沟道关断下降时间(nS) 1.90
体二极管正向电压 Vsd @ Is1.2V @ 3.7A
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量2500
包装方法编带塑料盘
生产状态现货
工程技术MOSFET作用:1.场效应管应用于放大电路; 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换; 3.用作可变电阻; 4.用作恒流源;5.用作电子开关。, MOSFET特点: 1.场效应管是电压控制器件,通过VGS来控制ID;2.场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电,温度稳定性较好; 4.场效应管的抗辐射能力强; 5.场效应管的噪声系数很小。
编写您自己的评论
您正在评论:N沟道MOSFET NCE6005R