N沟道MOSFET NCE30H32WD

¥ 4.50
有货
产品编码
03-408-01037-1

N沟道增强型场效应管 NCE30H32WD Vds=30V Ids=320A RDS(ON):1.6mΩ @ VGS=10V,TO-263

NCE30H32WD是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。

产品应用:

  • 开关电源
  • 高频硬开关电路
  • UPS电路
品名N沟道MOSFET NCE30H32WD
型号NCE30H32WD
丝印标识NCE30H32WD
封装TO-263-2L
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds30V
连续漏极电流 Id @ 25°C320A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs1.0Ohms @ 0.22A 10V
耗散功率(W)272W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id1.6V @ 250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs231nC @ 10V
输入结电容值 Ciss @ Vds13873pF @ 15V
正向跨导50S
N沟道接通延迟时间(nS) 18.00
N沟道接通上升时间(nS) 200.00
N沟道关断延迟时间(nS) 85.00
N沟道关断下降时间(nS) 125.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is0.85V @ 160A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C70nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C180nC
最高环境工作温度175℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量800
包装方法编带塑料盘
生产状态接单生产
编写您自己的评论
您正在评论:N沟道MOSFET NCE30H32WD