N沟道MOSFET NCE3050KA

¥ 1.31
有货
产品编码
03-408-00374-1

N沟道增强型场效应管NCE3050KA Vds=30V Ids=50A RDS(ON):11mΩ @ VGS=10V,TO-252

NCE3050KA是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。该MOSFET有着广泛的应用,可完全兼容SPD50N03S2、IPD50N03S4L、IPD060N03LG。

产品应用:

  • 锂电池保护板
  • 转换开关
  • LED显示器/LCD监视器
  • 马达控制
  • 逆变器
  • 开关电源
  • 笔记本电脑/台式电脑/手机等电源管理
品名N沟道MOSFET NCE3050KA
型号NCE3050KA
丝印标识NCE3050KA
封装TO-252
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds30V
连续漏极电流 Id @ 25°C50A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs8mOhms @ 25A 10V
耗散功率(W)60W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id1.1V @ 250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs23nC @ 10V
输入结电容值 Ciss @ Vds2000pF @ 15V
正向跨导15S
N沟道接通上升时间(nS) 8.00
N沟道关断延迟时间(nS) 30.00
N沟道关断下降时间(nS) 5.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is0.85V @ 25A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C22nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C11nC
最高环境工作温度175℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量2500
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
工程技术MOSFET作用:1.场效应管应用于放大电路; 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换; 3.用作可变电阻; 4.用作恒流源;5.用作电子开关。, MOSFET特点: 1.场效应管是电压控制器件,通过VGS来控制ID;2.场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电,温度稳定性较好; 4.场效应管的抗辐射能力强; 5.场效应管的噪声系数很小。
外观尺寸9.50X3.65X2.20mm
编写您自己的评论
您正在评论:N沟道MOSFET NCE3050KA