N沟道MOSFET NCE1012E

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产品编码
03-408-00283-1

N沟道增强型场效应管NCE1012E Vds=20V Ids=0.6A RDS(ON):700mΩ @ VGS=4.5V,SOT-523

NCE1012E是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。

产品应用:

  • 电池管理电路
  • 电源转换开关电路
  • 手机电源管理电路
品名N沟道MOSFET NCE1012E
型号NCE1012E
丝印标识1012E
封装SOT-523
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
N沟道接通上升时间(nS) 5.00
N沟道关断延迟时间(nS) 25.00
N沟道关断下降时间(nS) 11.00
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
静电放电防护等级(ESD)HBM 2000V
最小包装数量4000
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
工程技术MOSFET作用:1.场效应管应用于放大电路; 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换; 3.用作可变电阻; 4.用作恒流源;5.用作电子开关。, MOSFET特点: 1.场效应管是电压控制器件,通过VGS来控制ID;2.场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电,温度稳定性较好; 4.场效应管的抗辐射能力强; 5.场效应管的噪声系数很小。
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