N沟道MOSFET NCE0108AS

¥ 2.74
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产品编码
03-408-00618-1

N沟道增强型场效应管NCE0108AS Vds=100V Ids=8A RDS(ON):28mΩ @ VGS=10V,SOP8

NCE0108AS是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。

产品应用:

● DC/DC电路
● 同步整流
● 电信/服务器电路

品名N沟道MOSFET NCE0108AS
型号NCE0108AS
丝印标识NCE0108AS
封装SOP-8
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds100V
栅极-源极电压 Vgs±20V
N沟道接通延迟时间(nS) 12.00
N沟道接通上升时间(nS) 10.00
N沟道关断延迟时间(nS) 19.00
N沟道关断下降时间(nS) 8.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is0.85V @ 8A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C30nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C44nC
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量2500
包装方法编带塑料盘
生产状态现货
工程技术MOSFET作用:1.场效应管应用于放大电路; 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换; 3.用作可变电阻; 4.用作恒流源;5.用作电子开关。, MOSFET特点: 1.场效应管是电压控制器件,通过VGS来控制ID;2.场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电,温度稳定性较好; 4.场效应管的抗辐射能力强; 5.场效应管的噪声系数很小。
外观尺寸5.8mm x 4.7mm x 1.30mm
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