N沟道MOSFET BSS138

¥ 0.20
有货
产品编码
03-423-00017-1

N沟道增强型场效应管BSS138 Vds=50V Ids=0.22A RDS(ON):2Ω @ VGS=10V,SOT23

BSS138是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。该MOSFET有着广泛的应用。

产品应用:

  • 开关电源、照明电源
  • 定制电源
  • 充电器
品名N沟道MOSFET BSS138
型号BSS138
丝印标识138
封装SOT-23-3
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds50V
连续漏极电流 Id @ 25°C0.22A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs1.0Ohms @ 0.22A 10V
耗散功率(W)0.35W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id1.2V @ 250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs1.7nC @ 10V
输入结电容值 Ciss @ Vds27pF @ 25V
正向跨导0.12S
N沟道接通延迟时间(nS) 2.50
N沟道接通上升时间(nS) 6.00
N沟道关断延迟时间(nS) 20.00
N沟道关断下降时间(nS) 7.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is1.3V @ 0.22A
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量3000
包装方法编带塑料盘
生产状态现货
编写您自己的评论
您正在评论:N沟道MOSFET BSS138