N沟道MOSFET 2N7002A

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产品编码
03-408-00135-1

N沟道增强型场效应管2N7002A Vds=60V Ids=0.115A RDS(ON):3Ω @ VGS=10V,SOT-23-3L

2N7002A是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,带稳定性好。该MOSFET有着广泛的应用。

产品应用:

  • TTL/CMOS转换电路
  • 固态继电器应用电路
  • 电池电路
  • 驱动电路
品名N沟道MOSFET 2N7002A
型号2N7002A
丝印标识7002A
封装SOT-23-3
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds60V
连续漏极电流 Id @ 25°C0.115A
耗散功率(W)0.2W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id1.7V @ 250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs1.7nC @ 4.5V
输入结电容值 Ciss @ Vds20pF @ 30V
正向跨导0.08S
N沟道接通延迟时间(nS) 10.00
N沟道接通上升时间(nS) 50.00
N沟道关断延迟时间(nS) 17.00
N沟道关断下降时间(nS) 10.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is1.2V @ 0.115A
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量3000
包装方法编带塑料盘
生产状态现货
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