N沟道MOSFET 深沟槽 NCEP60T15K

¥ 3.99
缺货
产品编码
03-408-01104-1

N沟道增强型场效应管 深沟槽 NCEP60T15K Vds=60V Ids=150A RDS(ON):3.4mΩ @ VGS=10V , TO-252

NCEP60T15K是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,稳定性好,EAS一致性佳。该MOSFET有着广泛的应用。

产品应用:

  • 开关电源
  • 高频硬开关电路
  • UPS电路
品名N沟道MOSFET 深沟槽 NCEP60T15K
型号NCEP60T15K
丝印标识NCEP60T15K
封装TO-252-2L
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds60V
连续漏极电流 Id @ 25°C150A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs3.1mOhms @ 20A 10V
耗散功率(W)180W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id2.8V @ 250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs70nC @ 10V
输入结电容值 Ciss @ Vds4500pF @ 30V
正向跨导60S
N沟道接通延迟时间(nS) 21.00
N沟道接通上升时间(nS) 20.00
N沟道关断延迟时间(nS) 36.00
N沟道关断下降时间(nS) 8.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is1.2V @ 20A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C50nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C66nC
最高环境工作温度175℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量2500
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
编写您自己的评论
您正在评论:N沟道MOSFET 深沟槽 NCEP60T15K