N沟道 MOSFET NCE01ND03S

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产品编码
03-408-01030-1

N沟道增强型场效应管 NCE01ND03S Vds=100V Ids=3A RDS(ON):85mΩ @ VGS=10V,SOP8

NCE0108AS是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,稳定性好,具有高EAS均匀性。

产品应用:

●DC/DC电路
● 同步整流
● 电信/服务器电路

品名N沟道 MOSFET NCE01ND03S
型号NCE01ND03S
丝印标识NCE01ND03S
封装SOP-8
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds100V
连续漏极电流 Id @ 25°C3A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs1.0Ohms @ 0.22A 10V
耗散功率(W)2.0W
栅极-源极电压 Vgs±20V
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量4000
包装方法编带塑料盘
生产状态接单生产
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