N沟道 HEXFET MOSFET IRLR8726PbF

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产品编码
03-023-00305-1

HEXFET MOSFET IRLR8726PbF 30V 1 N-CH 5.8mOhms@VGS=10V,15nC,D-PAK(TO-252)

HEXFET MOSFET IRLR8726PbF是一款采用先进结工艺技术生产的N沟道MOSFET,采用先进的HEXFET制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs。

产品应用:

  • 开关电源电路
  • DC-DC电路
品名N沟道 HEXFET MOSFET IRLR8726PbF
型号IRLR8726PbF
丝印标识IRLR8726
封装DPAK
器件结构HEXFET
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds30V
连续漏极电流 Id @ 25°C86A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs5.8mOhms @ 20A 4.5V
耗散功率(W)75W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id1.8V @ 250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs15nC @ 4.5V
输入结电容值 Ciss @ Vds2150pF @ 15V
正向跨导73S
N沟道接通延迟时间(nS) 12.00
N沟道接通上升时间(nS) 49.00
N沟道关断延迟时间(nS) 15.00
N沟道关断下降时间(nS) 16.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is1V @ 20A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C24nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C52nC
最高环境工作温度175℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量75
包装方法管装
生产状态量产中
外观尺寸9.50X6.35X2.20mm
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