N沟道 深沟槽MOSFET SGT NCEP30T21GU

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产品编码
03-408-01116-1

增强型N沟道屏蔽栅场效应管 深沟槽 SGT NCEP30T21GU Vds=30V Ids=210A RDS(ON):1mΩ @ VGS=10V,DFN5X6_8L

NCEP30T21GU采用独特超级沟槽工艺技术提高高频下开关特性,降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。NCEP30T21GU的FOM (品质因数(Rdson*Qg))大大降低,其软体二极管性能可以有效降低同步整流中的电压尖峰。提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度,同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量。

产品应用:

  • 同步整流
  • 高频开关电路
  • 隔离的直流-直流转换器
品名N沟道 深沟槽MOSFET SGT NCEP30T21GU
型号NCEP30T21GU
丝印标识NCEP30T21GU
封装DFN5×6_8L
器件结构屏蔽栅深沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds30V
连续漏极电流 Id @ 25°C210A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs1.0mOhms @ 100A 10V
耗散功率(W)100W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id1.5V @ 250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs109nC @ 10V
输入结电容值 Ciss @ Vds7150pF @ 15V
正向跨导90S
N沟道接通延迟时间(nS) 13.00
N沟道接通上升时间(nS) 8.00
N沟道关断延迟时间(nS) 55.00
N沟道关断下降时间(nS) 10.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is1.2V @ 100A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C35nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C120nC
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量5000
包装方法编带塑料盘
生产状态现货
工程技术MOSFET作用:1.场效应管应用于放大电路; 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换; 3.用作可变电阻; 4.用作恒流源;5.用作电子开关。, MOSFET特点: 1.场效应管是电压控制器件,通过VGS来控制ID;2.场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电,温度稳定性较好; 4.场效应管的抗辐射能力强; 5.场效应管的噪声系数很小。
外观尺寸10.16mm×8.70mm×4.57mm
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