N沟道 快开 MOSFET NCE60T1K5K

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产品编码
03-408-01049-1

N沟道增强型场效应管 快开 NCE60T1K5K Vds=600V Ids=3A RDS(ON):1300mΩ @ VGS=10V,TO-252

NCE60T1K5K是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,卓越的低栅极电荷,导通阻低RDS(ON) ,具备优秀的开关特性,广泛应用于AC-DC开关电源上的FPC和AC/DC转换电路上。

产品应用:

  • 功率因数校正电路
  • 开关电源电路
  • UPS电路
品名N沟道 快开 MOSFET NCE60T1K5K
型号NCE60T1K5K
丝印标识NCE60T1K5K
封装TO-252
器件结构超结工艺 快开
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds600V
连续漏极电流 Id @ 25°C3A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs1.0Ohms @ 0.22A 10V
耗散功率(W)22W
栅极-源极电压 Vgs±30V
体二极管正向电压 Vsd @ Is-1.2V @ -5.3A
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C135nC
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量2500
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
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