Mosfet NCE20N65

¥ 16.25
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产品编码
03-408-00083-1

超结场效应管 NCE20N65 Vds=650V Ids=20A RDS(ON):190mΩ @ VGS=10V,TO-220

NCE20N65是一款利用先进的电荷平衡技术的超结MOSFET(兼容COOLMOS系列产品),单位面积内的电流密度高,充足的耐压余量,简化电路设计难度,提供更高的系统可靠性。

产品应用:

  • 功率因数校正电路 (PFC)
  • 开关模式电源
  • 不间断电源 (UPS)
品名Mosfet NCE20N65
型号NCE20N65
丝印标识NCE20N65
封装TO-220
器件结构超结工艺 快开
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds650V
连续漏极电流 Id @ 25°C20A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs155mOhms @ 10A 10V
耗散功率(W)208W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id3.0V @ 250μA
栅极-源极电压 Vgs±30V
栅极电荷 Qg @ Vgs55nC @ 10V
输入结电容值 Ciss @ Vds2400pF @ 50V
正向跨导17.5S
N沟道接通延迟时间(nS) 10.00
N沟道接通上升时间(nS) 5.00
N沟道关断延迟时间(nS) 67.00
N沟道关断下降时间(nS) 4.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is0.9V @ 20A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C360nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C5.5uC
最高环境工作温度175℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量50
包装方法管装
生产状态升级并转新料号
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