Mosfet NCE11N50D

¥ 10.96
有货
产品编码
03-408-00055-1

超结场效应管 NCE11N50D Vds=500V Ids=11A RDS(ON):380mΩ @ VGS=10V,TO-263

NCE11N50D是一款利用先进的电荷平衡技术的超结MOSFET(兼容COOLMOS系列产品),单位面积内的电流密度高,充足的耐压余量,简化电路设计难度,提供更高的系统可靠性。

产品应用:

  • 功率因数校正电路 (PFC)
  • 开关模式电源
  • 不间断电源 (UPS)
品名Mosfet NCE11N50D
型号NCE11N50D
丝印标识NCE11N50D
封装TO-263
器件结构超结工艺 快开
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds500V
连续漏极电流 Id @ 25°C11A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs340mOhms @ 7A 10V
耗散功率(W)125W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id3.0V @ 250μA
栅极-源极电压 Vgs±30V
栅极电荷 Qg @ Vgs29nC @ 10V
输入结电容值 Ciss @ Vds1350pF @ 100V
正向跨导8.5S
N沟道接通延迟时间(nS) 10.00
N沟道接通上升时间(nS) 5.00
N沟道关断延迟时间(nS) 44.00
N沟道关断下降时间(nS) 5.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is1.0V @ 11A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C400nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C6nC
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量800
包装方法编带塑料盘
生产状态升级并转新料号
编写您自己的评论
您正在评论:Mosfet NCE11N50D