Mosfet NCE05N50I

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产品编码
03-408-00023-1

超结场效应管 NCE05N50I Vds=500V Ids=4.8A RDS(ON):950mΩ @ VGS=10V,TO-251

NCE05N50I是一款利用先进的电荷平衡技术的超结MOSFET(兼容COOLMOS系列产品),单位面积内的电流密度高,充足的耐压余量,简化电路设计难度,提供更高的系统可靠性。

产品应用:

  • 功率因数校正电路 (PFC)
  • 开关模式电源
  • 不间断电源 (UPS)
品名Mosfet NCE05N50I
型号NCE05N50I
丝印标识NCE05N50I
封装TO-251
器件结构超结工艺 快开
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds500V
连续漏极电流 Id @ 25°C4.8A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs850mOhms @ 3A 10V
耗散功率(W)50W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id3.0V @ 250μA
栅极-源极电压 Vgs±30V
栅极电荷 Qg @ Vgs13nC @ 10V
输入结电容值 Ciss @ Vds480pF @ 100V
N沟道接通延迟时间(nS) 6.00
N沟道接通上升时间(nS) 2.50
N沟道关断延迟时间(nS) 55.00
N沟道关断下降时间(nS) 9.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is1V @ 4.8A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C300nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C2.6nC
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量80
包装方法管装
生产状态升级并转新料号
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