MOSFET AO3414

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产品编码
03-267-00003-1

N沟道增强型场效应管AO3414 Vds=20V Ids=3A RDS(ON):62mΩ @ VGS=4.5V,SOT-23

AO3414是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,可作为负载开关或PWM应用

品名MOSFET AO3414
型号AO3414
丝印标识AE
封装SOT-23-3
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds20V
连续漏极电流 Id @ 25°C3A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs51mOhms @ 3A 4.5V
耗散功率(W)1.4W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id0.7V @ 250μA
栅极-源极电压 Vgs±8V
栅极电荷 Qg @ Vgs2.9nC @ 4.5V
输入结电容值 Ciss @ Vds260pF @ 10V
正向跨导11S
N沟道接通延迟时间(nS) 2.50
N沟道接通上升时间(nS) 3.20
N沟道关断延迟时间(nS) 21.00
N沟道关断下降时间(nS) 3.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is0.7V @ 1.0A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C14nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C3.8nC
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量3000
包装方法编带塑料盘
生产状态现货
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