MOSFET AO3401

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产品编码
03-267-00004-1

P沟道增强型场效应管 AO3401 Vds=-30V Ids=-4.0A RDS(ON):50mΩ @ VGS=-10V,SOT-23

AO3401是一款采用先进结工艺技术生产的增强型P沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,长寿命。

产品应用:

  • 电池开关电路
  • 负载驱动电路
  • 电源管理电路
品名MOSFET AO3401
型号AO3401
丝印标识A1
封装SOT-23-3
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性P管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds-30V
连续漏极电流 Id @ 25°C-4A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs41mOhms @ -4A -10V
耗散功率(W)1.4W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id-0.9V @ -250μA
栅极-源极电压 Vgs±12V
栅极电荷 Qg @ Vgs14nC @ -10V
输入结电容值 Ciss @ Vds645pF @ -15V
P沟道接通延迟时间(nS) 6.50
P沟道接通上升时间(nS) 3.50
P沟道关断延迟时间(nS) 41.00
P沟道关断下降时间(nS) 9.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is-0.7V @ -1A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C11nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C3.5nC
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量3000
包装方法编带塑料盘
生产状态现货
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