N沟道MOSFET 深沟槽 NCEP60T20D

¥ 3.99
缺货
产品编码
03-408-01107-1
N沟道增强型场效应管 深沟槽 NCEP60T20D Vds=60V Ids=200A RDS(ON):1.8mΩ @ VGS=10V , TO-263

NCEP60T20D采用独特超级沟槽工艺技术提高高频下开关特性,降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。NCEP60T20D的FOM (品质因数(Rdson*Qg))大大降低,其软体二极管性能可以有效降低同步整流中的电压尖峰,实现在AC/DC电源的同步整流中快速开关。同时全面提升了产品的导通电阻温度特性,有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度,提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度,同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量。

产品应用:

  • 开关电源
  • 高频硬开关电路
  • UPS电路
品名N沟道MOSFET 深沟槽 NCEP60T20D
型号NCEP60T20D
丝印标识NCEP60T20D
品牌新洁能
封装TO-263-2L
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds60V
连续漏极电流 Id @ 25°C200A
源极电流 Is200A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs1.8mOhms @ 100A 10V
耗散功率(W)255W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id2.7V @ 250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs130nC @ 10V
输入结电容值 Ciss @ Vds9200pF @ 30V
正向跨导60S
N沟道接通延迟时间(nS) 23.00
N沟道接通上升时间(nS) 19.00
N沟道关断延迟时间(nS) 58.00
N沟道关断下降时间(nS) 14.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is1.2V @ 200A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C67nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C112nC
最高环境工作温度175℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量800
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
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