超结Mosfet NCE65R2K2K

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产品编码
03-408-00755-1

超结场效应管NCE65R2K2K Vds=650V Ids=2A RDS(ON):2200mΩ @ VGS=10V,,TO-252

NCE65R2K2K是一款利用先进的电荷平衡技术的超结MOSFET(兼容COOLMOS系列产品),在第一代超结MOSFET产品的基础上大幅度提高了单位面积内的电流密度,产品特征导通电阻(Rdson*A)降低40%,开关损耗降低12%,总能效提升1.7%。充足的耐压余量,简化电路设计难度,提供更高的系统可靠性。

产品应用:

  • 功率因数校正电路 (PFC)
  • 开关模式电源
  • 不间断电源 (UPS)
品名超结Mosfet NCE65R2K2K
型号NCE65R2K2K
丝印标识NCE65R2K2K
封装TO-252
器件结构超结工艺 快开
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds650V
连续漏极电流 Id @ 25°C2A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs2200mOhms @ 1A 10V
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id3.0V @ 250μA
栅极-源极电压 Vgs±30V
栅极电荷 Qg @ Vgs3.2nC @ 10V
输入结电容值 Ciss @ Vds190pF @ 50V
N沟道接通延迟时间(nS) 6.00
N沟道接通上升时间(nS) 3.00
N沟道关断延迟时间(nS) 65.00
N沟道关断下降时间(nS) 11.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is1V @ 2A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C140nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C0.65uC
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量2500
包装方法编带塑料盘
生产状态现货
工程技术MOSFET作用:1.场效应管应用于放大电路; 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换; 3.用作可变电阻; 4.用作恒流源;5.用作电子开关。, MOSFET特点: 1.场效应管是电压控制器件,通过VGS来控制ID;2.场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电,温度稳定性较好; 4.场效应管的抗辐射能力强; 5.场效应管的噪声系数很小。
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