超结Mosfet NCE60R180

¥ 11.40
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产品编码
03-408-00332-1

超结场效应管 NCE60R180 Vds=600V Ids=21A RDS(ON):180mΩ @ VGS=10V,TO-220

NCE60R180是一款利用先进的电荷平衡技术的超结MOSFET(兼容COOLMOS系列产品),在第一代超结MOSFET产品的基础上大幅度提高了单位面积内的电流密度,产品特征导通电阻(Rdson*A)降低40%,开关损耗降低12%,总能效提升1.7%。充足的耐压余量,简化电路设计难度,提供更高的系统可靠性。

产品应用:

  • 功率因数校正电路 (PFC)
  • 开关模式电源
  • 不间断电源 (UPS)
品名超结Mosfet NCE60R180
型号NCE60R180
丝印标识NCE60R180
封装TO-220
器件结构超结工艺 快开
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds600V
连续漏极电流 Id @ 25°C21A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs150mOhms @ 10.5A 10V
耗散功率(W)200W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id3.0V @ 250μA
栅极-源极电压 Vgs±30V
栅极电荷 Qg @ Vgs45nC @ 10V
输入结电容值 Ciss @ Vds1950pF @ 50V
正向跨导17.5S
N沟道接通延迟时间(nS) 11.00
N沟道接通上升时间(nS) 6.00
N沟道关断延迟时间(nS) 61.00
N沟道关断下降时间(nS) 4.50
体二极管正向电压 Vsd @ Is0.9V @ 21A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C31nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C5uC
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量50
包装方法管装
生产状态量产中
工程技术沟槽式肖特基特点:1.第二代沟槽式 MOS 肖特基技术;2.低正向电压降、低功率损耗;3.高效操作。
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