耗尽型场效应管 DMZ6005E

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产品编码
03-442-00001-1

N沟道耗尽型场效应管DMZ6005E BVDSX=600V IDSS,min=5mA RDS(ON)max=700Ω @ VGS=0V,SOT-23

DMZ6005E是一款采用先进平面工艺技术生产的耗尽型N沟道MOSFET,高开关速度,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,无汞环保。

产品应用:

  • 常开开关电路
  • 开关电源启动电路
  • 抑制浪涌电流电路
  • 线性放大电路
  • 恒流源电路
  • 转换器
品名耗尽型场效应管 DMZ6005E
型号DMZ6005E
丝印标识605E
封装SOT-23-3
器件结构平面工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式耗尽型
漏源极击穿电压 Vds600V
连续漏极电流 Id @ 25°C5mA ~ 25mA
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs500 Ohms @ 3mA 0V
典型栅源截止电压 Vgs(off) @ Id-3V ~ -1.8V @ 8μA
栅极电荷 Qg @ Vgs1.55nC @ -5V~5V
输入结电容值 Ciss @ Vds12.3pF @ 25V
N沟道接通延迟时间(nS) 4.00
N沟道接通上升时间(nS) 9.00
N沟道关断延迟时间(nS) 14.00
N沟道关断下降时间(nS) 84.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is1.2V @ 3mA
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量3000
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
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