快开 SJ MOSFET NCE65T1K9I

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产品编码
03-408-01054-1

N沟道增强型场效应管 快开 NCE65T1K9I Vds=650V Ids=3A RDS(ON):1600mΩ @ VGS=10V,TO-251

NCE65T1K9I是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,卓越的低栅极电荷,导通阻低RDS(ON) ,具备优秀的开关特性,广泛应用于AC-DC开关电源上的FPC和AC/DC转换电路上。

产品应用:

  • 功率因数校正电路
  • 开关电源电路
  • UPS电路
品名快开 SJ MOSFET NCE65T1K9I
型号NCE65T1K9I
丝印标识NCE65T1K9I
封装TO-251
器件结构超结工艺 快开
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds650V
连续漏极电流 Id @ 25°C3A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs1600mOhms @ 1.5A 10V
耗散功率(W)22W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id3V ~ 4V @ 250μA
栅极-源极电压 Vgs±30V
栅极电荷 Qg @ Vgs9.0nC @ 10V
输入结电容值 Ciss @ Vds130pF @ 50V
N沟道接通延迟时间(nS) 10.00
N沟道接通上升时间(nS) 9.00
N沟道关断延迟时间(nS) 56.00
N沟道关断下降时间(nS) 11.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is0.9V @ 3A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C190nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C500nC
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量80
包装方法管装
生产状态接单生产
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