双P沟道MOSFET NCE4953

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产品编码
03-408-00110-1

P+P沟道增强型场效应管NCE4953 Vds=-30V Ids=-5.1A RDS(ON):55mΩ @ VGS=-10V,SOP-8

NCE4953是一款采用先进结工艺技术生产的增强型P+P沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。

产品应用:

  • PWM应用电路
  • 负载电路
  • 电源管理电路
品名双P沟道MOSFET NCE4953
型号NCE4953
丝印标识4953
封装SOP-8
器件结构沟槽工艺
晶体管类型双通道
晶体管极性P&P管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds-30V -30V
连续漏极电流 Id @ 25°C-5.1A -5.1A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs48mOhms @ -5.1A -10V & 48mOhms @ -5.1A -10V
耗散功率(W)2.5W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id-1.6V @ -250μA & -1.6V @ -250μA
栅极-源极电压 Vgs±20V ±20V
栅极电荷 Qg @ Vgs12nC @ -10V & 12nC @ -10V
输入结电容值 Ciss @ Vds520pF @ -15V & 520pF @ -15V
P沟道正向跨导 (S)7S 7S
P沟道接通延迟时间(nS) 7.00
P沟道接通上升时间(nS) 13.00
P沟道关断延迟时间(nS) 14.00
P沟道关断下降时间(nS) 9.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is-1.2V @ -1.7A & -1.2V @ -1.7A
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量2500
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
工程技术MOSFET作用:1.场效应管应用于放大电路; 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换; 3.用作可变电阻; 4.用作恒流源;5.用作电子开关。, MOSFET特点: 1.场效应管是电压控制器件,通过VGS来控制ID;2.场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电,温度稳定性较好; 4.场效应管的抗辐射能力强; 5.场效应管的噪声系数很小。
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