双P沟道 MOSFET NCE4801

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产品编码
03-408-01045-1

P+P沟道增强型场效应管 NCE4801 Vds=-30V Ids=-5A RDS(ON):48mΩ @ VGS=-10V,SOP-8

NCE4801是一款采用先进结工艺技术生产的增强型P+P沟道MOSFET,通道独立分开,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,高稳定性,具有很高的EAS均匀性。该MOSFET有着广泛的应用。

  • 电池保护板电路
  • 负载开关电路
  • 电源管理电路
品名双P沟道 MOSFET NCE4801
型号NCE4801
丝印标识NCE4801
封装SOP-8
器件结构沟槽工艺
晶体管类型双通道
晶体管极性P&P管
通道模式增强型
漏源极击穿电压 Vds-30V -30V
连续漏极电流 Id @ 25°C-5.0A -5.0A
Rds(ON) 漏源导通电阻@ Id , Vgs40mOhms @ -5A -10V & 40mOhms @ -5A -10V
耗散功率(W)2.0W
栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id-1.0V @ -250μA & -1.0V @ -250μA
栅极-源极电压 Vgs±12V ±12V
栅极电荷 Qg @ Vgs8.5nC @ -4.5V & 8.5nC @ -4.5V
输入结电容值 Ciss @ Vds880pF @ -15V & 880pF @ -15V
N沟道接通延迟时间(nS) 7.00
N沟道接通上升时间(nS) 3.00
N沟道关断延迟时间(nS) 30.00
N沟道关断下降时间(nS) 12.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is-1.2V @ -5A & -1.2V @ -5A
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C135nC
最高环境工作温度150℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量4000
包装方法编带塑料盘
生产状态量产中
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